Удаление (обдирка) фоторезиста
После отжига проявленная пластина избирательно протравливается жидкими или сухими химикатами (см. ниже раздел "Травление".). Оставшийся фоторезист удаляется с пластины перед последующей обработкой. Удаление производится путем применения либо жидких химических растворов в ваннах с контролируемой температурой, либо сухих химических веществ, либо с помощью плазменных устройств озоления. В таблице 83.2 показан состав жидких и сухих химических веществ. Ниже следует описание сухого химического плазменного травления, в котором применяется то же самое оборудование и принципы работы, что и при плазменном озолении.
http://base.safework.ru/iloenc?doc&nd=857200059&nh=0&ssect=2

The removal of photoresist masks after processes such as etching and ion implantation, is one of the most important and frequently performed steps in front-end semiconductor manufacturing. Depending on the complexity of the devices concerned, the number of lithography cycles can vary typically from 10 to 25. Each cycle requires a photoresist removal process. The process of plasma photoresist stripping of the mask is a dry, eco-friendly process called Plasma Ashing, and is fast replacing wet stripping / wet etching technologies.
http://www.pvateplaamerica.com/semi_stripping.php

--------------------------------------------------
Note added at 18 час (2012-01-03 12:08:15 GMT)
--------------------------------------------------

Травление в литографии (англ. etching (development) in lithography) — этап фотолитографического процесса, заключающийся в удалении негативного фоторезиста с необлученных участков или позитивного фоторезиста с облученных участков подложки, покрытой тонкой пленкой фоторезиста.
Описание

Жидкостное травление фоторезиста обладает высокой селективностью, но является изотропным и происходит не только в направлении, перпендикулярном поверхности подложки, но и горизонтально, под слой резиста. Вследствие этого детали вытравленного рисунка по размеру оказываются больше, чем соответствующие детали маски.

Наиболее часто используется реактивное ионное травление, при котором подложка, покрытая маской, подвергается воздействию плазмы, возбужденной высокочастотным электрическим полем. Радикалы и нейтральные частицы плазмы участвуют в химических реакциях на поверхности, образуя летучие продукты, а положительные ионы плазмы бомбардируют поверхность и выбивают атомы с незащищенных участков подложки. Для каждого материала, подвергаемого сухому травлению, подбирается соответствующий реактивный газ. Так, например, органические резисты травят в кислородсодержащей плазме (CF4 + O2), алюминий — в хлорсодержащей плазме (CCl4, BCl3, BCl3 +Cl2, BCl3 + CCl4 +O2), кремний и его соединения травят хлор- и фторсодержащей плазмой (CCl4 + Cl2 + Ar, ClF3 + Cl2, CHF3, CF4 + H2, C2F6). Недостаток сухого травления — меньшая, по сравнению с жидкостным травлением, селективность.
Вариантом сухого анизотропного травления является ионно-лучевое травление. В отличие от реактивного ионного травления, сочетающего физический и химический механизмы, ионно-лучевое травление определяется только физическим процессом передачи импульса. Ионно-лучевое травление является универсальным, пригодно для любого материала или сочетания материалов и обладает наивысшей среди всех методов травления разрешающей способностью, позволяя получать элементы с размером менее 10 нм.
http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article1811